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   技术编号             技术名称
1191504-00022-1 自对准外延生长的双极型晶体管
1191504-00049-2 一种Li-F共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
1191504-00027-3 一种实时掺氮生长p型氧化锌晶体薄膜的方法
1191504-00026-4 掺钛蓝宝石_晶体的生长方法
1191504-00012-5 Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法
1191504-00007-6 Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法
1191504-00025-7 氧化锌生长用低压金属有机化学汽相淀积设备
1191504-00017-8 ZnO薄膜生长用光照MOCVD设备及其p型掺杂工艺
1191504-00014-9 Er3+,Yb3+,Ce3+共掺的CaF2_晶体及其生长方法
1191504-00011-10 两步法生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法
1191504-00018-11 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法
1191504-00019-12 在陶瓷膜中添加阻止剂以在大气烧结过程中阻止粒子的结晶生长
1191504-00015-13 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
1191504-00020-14 藉利用硅化物生长掺杂物雪耙效应于装置中形成陡接面
1191504-00023-15 一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法
1191504-00005-16 磷掺杂生长ZnO量子点的方法
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1191504-00030-17 鉴别高速生长的化学气相沉积金刚石单晶的方法
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1191504-00029-18 MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法
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1191504-00039-19 一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的方法
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1191504-00009-20 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺
8
1191504-00051-21 一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法
1
1191504-00024-22 氧化锌薄膜生长用金属有机_汽相淀积设备
5
1191504-00047-23 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
0
1191504-00008-24 临界条件下生长纳米晶硅的方法
4
1191504-00046-25 一种定向凝固生长多晶硅锭工艺
4
1191504-00016-26 一种Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
1
1191504-00044-27 一种生长p型AlGaN的方法
6
1191504-00032-28 一种非极性GaN薄膜及其生长方法
1191504-00042-29 4H-SiC选择性同质外延生长方法
1
1191504-00045-30 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法
8
1191504-00002-31 以磷掺杂硅并在蒸汽存在下生长硅上氧化物的方法
9
1191504-00001-32 用于将砷掺杂剂加入硅晶体生长工艺中的方法和装置
8
1191504-00028-33 磊晶基板及液相磊晶生长方法
2
1191504-00035-34 一种用于评价细胞生长因子促_生长安全性的_方法
1
1191504-00033-35 柔性衬底生长n型ZnMgO掺Ga半导体薄膜的方法
9
1191504-00043-36 晶体硅锭生长及其硅原料提纯用坩埚及其制备和应用
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1191504-00034-37 在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法
2
1191504-00040-38 用于纳米线生长的系统与方法
3
1191504-00041-39 Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
0
1191504-00050-40 一种氟掺杂生长n型透明导电ZnO晶体薄膜的方法
1191504-00003-41 掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法
1191504-00048-42 动态控制微晶硅生_间的温度的方法
1191504-00021-43 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
1191504-00013-44 氧化锌生长用低压金属有机化学汽相沉积设备及其工艺
1191504-00010-45 双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶液生长
1191504-00031-46 Na掺杂生长p型Zn1-xMgxO晶体薄膜的方法
1191504-00004-47 Sb掺杂生长p型Zn1-xMgxO晶体薄膜的方法
1191504-00006-48 Na掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
1191504-00036-49 一种非极性ZnO晶体薄膜的生长方法
1191504-00038-50 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法
1191504-00037-51 一种在铝酸锂衬底上生长非极性a面GaN薄膜的方法




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